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WBGデバイスがゲートドライバの電源に引き起こす問題
2024/06/14
炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)デバイス用のゲートドライバ電源は、これらのワイドバンドギャップ半導体の固有のバイアス要件に対応する必要があります。このブログでは、SiCおよびGaNアプリケーションのゲートドライバの電源を設計する際に考慮すべき重要な点について説明します。
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