Power Supplies for

IGBT, SiC FET & GaN

ゲートドライバ用高絶縁DC/DCコンバータ

DC/ACインバータは、多くの場合数百ボルトのフロート状態にあります。一般的な絶縁電圧は少なくても使用電圧の2倍は必要です。高いスイッチング速度とフロート電圧を考慮すると、ゲートドライブの電源には高絶縁コンバータが必要になります。高速なスイッチングは、高効率を維持するために必要です。制御信号の絶縁はオプトカプラで行いますが、電源にも絶縁が必要です。IGBT, SiC MOSFETやGaNに限らず、RECOMのゲートドライバ用DC/DCコンバータは、DC/ACインバータの寿命と信頼性を向上させるための簡単なソリューションです。

“In the ecosystem of partners that we work with, RECOM has been one of the most active and supportive. Their power modules have been key to getting our evaluation platforms designed quickly by freeing us up to focus on the other aspects of our design.”

GaN Systems

IGBT

RxxP2xx、RxxPxx、RP、RH、RKZ シリーズ　小型SIP7ケース
RV、RGZ シリーズ　低背DIP14、小型DIP24ケース
出力：+15V/-9V
絶縁：最大6.4kVDC
入力：5V、12V、24V
合計出力：1Wまたは2W
電力は対称
最大効率：86%
動作温度：最大+90℃
EN認証取得
3年保証

SiC

RxxP21503D、 RxxP22005D、RKZ-xx2005D シリーズ　小型SIP7ケース
出力：+15/-3V, +20/-5V
絶縁：最大6.4kVDC
入力：5V、12V、15V、24V
合計出力：2W
対称な電力と出力電流
最大効率：87%
動作温度：最大+90℃
EN/IEC/IL認証取得
3年保証

GaN

RJZ, RK, RP, RV, RxxPxx, RxxP2xx シリーズ　小型DIP14、DIP24およびSIP7ケース
出力：+6V, +9V
絶縁：最大6.4kVDC
入力：5V、12V、15V、24V
合計出力：1W, 2W (3W for RA3)
最大効率：83%
動作温度：最大+90℃
EN/IEC/UL認証取得
3年保証

リファレンスデザイン

Universal Half-bridge Reference Design for IGBT, SiC & GaN transistors

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IGBT

RECOMのDC/DCコンバータ、RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx、RxxP2xxは、IGBTドライバ回路用に特別に設計されています。+15V/+9Vという非対称出力は、IGBTドライバへの給電に理想的で、従来2つのコンバータを要したのに対しコンバータは1つで済みます。種々のIGBTアプリケーションの要求に適合するため、多様なピン配置およびパッケージ（SIP/DIP）を用意しています。

	Series	Power (W)	Vin (V)	Nr. of Outputs	Main Vout (V)	Isolation (kV)
1	RxxC2Txx Focus New	2.0	21.0 - 27.0	Dual		3.0	Datasheet
2	RGZ-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	3.0, 4.0	Datasheet
3	RH-xx1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	3.0, 4.0	Datasheet
4	RKZ-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	3.0, 4.0	Datasheet
5	RP-xx1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	5.2	Datasheet
6	RV-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	6.0	Datasheet
7	RxxP1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	6.4	Datasheet
8	RxxP21509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	Dual	15 / -9	6.4	Datasheet

SiC

SiC MOSFETのスイッチングには、IGBTやMOSFETなど他のアプリケーションとは異なるオン/オフ電圧が必要です。RxxP22005DおよびRKZ-xx2005Dシリーズは、SiC MOSFETを効率的かつ完全にスイッチするための+20V/-5V非対称出力が特徴です。RxxP21503Dシリーズは、第2世代SiC MOSFETを効率よくスイッチするための+15V/-3V非対称出力を備えています。

	Series	Power (W)	Vin (V)	Nr. of Outputs	Main Vout (V)	Isolation (kV)
1	RA3 Focus	3.0	5.0, 12.0, 24.0	Single, Dual	15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9	5.2	Datasheet
2	RxxC2Txx Focus New	2.0	21.0 - 27.0	Dual		3.0	Datasheet
3	RKZ-xx2005	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Dual	20 / -5	3.0, 4.0	Datasheet
4	RxxP21503	2.0	12.0, 15.0, 24.0	Dual	15 / -3	6.4	Datasheet
5	RxxP22005	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Dual	20 / -5	6.4	Datasheet

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Designing Robust Transistor Circuits with IGBTs and SIC MOSFETs

This whitepaper shares some design guidelines and advice on how to reduce failure causes and simplify the design - with application examples for a better comprehension.

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GaN

高スルーレートのGaNトランジスタドライバが、最適なスイッチング性能を得られる+6Vを供給するRECOMのDC/DCコンバータ、RP-xx06SおよびRxxP06Sシリーズは、高絶縁電圧と低絶縁容量が特徴です。また、ノイズと干渉が大きいことが懸案となるGaNアプリケーションに対して、ゲート電圧が確実にオンしきい値以下に維持される負のオフゲート電圧を提供する、ツェナーダイオードによる+6V/-3V分圧出力を可能にする+9V出力のコンバータも用意しています。

	Series	Power (W)	Vin (V)	Nr. of Outputs	Main Vout (V)	Isolation (kV)
1	RA3 Focus	3.0	5.0, 12.0, 24.0	Single, Dual	15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9	5.2	Datasheet
2	RK Focus	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single	12, 15, 5, 9	3.0, 4.0	Datasheet
3	RP Focus	1.0	5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single, Dual	12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9	5.2	Datasheet
4	RJZ	2.0	3.3, 5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single	12, 15, 24, 3.3, 5, 9	3.0, 4.0	Datasheet
5	RP-xx06	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single	6	5.2	Datasheet
6	RV	2.0	3.3, 5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single, Dual	12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.0	Datasheet
7	RxxP06	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single	6	6.4	Datasheet
8	RxxP2xx	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single, Dual	12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.4	Datasheet
9	RxxPxx	1.0	5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	Single, Dual	12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.4	Datasheet