SMDパワーモジュールが柔軟なゲートドライブバイアス電圧を提供

SMDパワーモジュールが柔軟なゲートドライブバイアス電圧を提供 News Image
RECOMが高性能ゲートドライブアプリケーション用の小型DC/DCシリーズを発売。

ゲートドライバには、最高の効率性とシステムの信頼性を実現するために正確な電圧が必要です。RECOMの新しい絶縁型パワーモジュールシリーズは、わずか12.83 x 7.5 x 3.55mmの小型36ピンSSOP SMDパッケージで、経済的かつ高性能なソリューションを提供します。

絶縁モジュールには複数の入力範囲があり、定格電力最大2.5Wで、選択したバリエーションと温度範囲に応じて8.5V~27VDCをカバーし、12V、15V、24VDCの公称電圧に対応しています。各製品には2つの完全安定化出力があり、IGBT、SiおよびSiC MOSFET、GaNカスコードHEMTセルの広範囲にわたるゲート駆動電圧の要件に合わせて、非対称の正と負の値、または単一の正または負の値としてユーザーがプログラムできます。例えば、製品R12C2T25/Rは9~18VDC入力で動作し、SiC MOSFETに合わせて+18V/-5V出力にプログラムできます。動作温度範囲は-40℃~100℃で、バリエーションによってはディレーティングを伴います。このシリーズの絶縁定格は、強化絶縁で5kVAC/1分、動作絶縁で1.4kVDCで、絶縁容量は3.5pF未満、dV/dt耐性は150V/nsです。

入力低電圧および高電圧ロックアウト、過熱、出力過負荷、低電圧および過電圧を含む広範な制御および保護機能が備わっています。シャットダウン制御ピンが提供されており、出力が許容範囲内にあり、ゲートドライブを安全に適用できることを示すパワーグッド信号も利用できます。

「これらのモジュールは、あらゆる一般的なスイッチ技術において、信頼性が高く最適なゲートドライブバイアス電圧を生成するために必要な特性をすべて備えています。」とRECOMの製品マネージャーであるMatthew Dauterive(修士)は コメントしています。
アプリケーション
  Series
1 DC/DC, 2.5 W, Single/dual Output, SMD R12C2T12/R Series
Focus New
  • 2.5W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • 9 - 18VDC input voltage range
  • For IGBT/Si/SiC/Cascode GaN gate drive bias voltages
2 DC/DC, 2.5 W, Single/dual Output, SMD R12C2T25/R Series
Focus New
  • 2.5W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • 9 - 18VDC input voltage range
  • For IGBT/Si/SiC/Cascode GaN gate drive bias voltages
3 DC/DC, 2.5 W, Single/dual Output, SMD R15C2T25/R Series
Focus New
  • 2.5W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • 13.5 - 18VDC input voltage range
  • For IGBT/Si/SiC/Cascode GaN gate drive bias voltages
4 DC/DC, 2.5 W, Single/dual Output, SMD R24C2T25/R Series
Focus New
  • 2.5W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • 21 - 27VDC input voltage range
  • For IGBT/Si/SiC/Cascode GaN gate drive bias voltages
5 DC/DC, 3.0 W, Single/dual Output, SMD R9C1T18/R Series
Focus New
  • 1.5W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • 8.5 - 18VDC input voltage range
  • For IGBT/Si/SiC/Cascode GaN gate drive bias voltages