SMD-Power Modules für flexible Gate-Drive-Bias

Gate-Treiber benötigen exakte Spannungen für höchste Effizienz und Systemzuverlässigkeit. Eine neue Serie von isolierten RECOM Leistungsmodulen bietet eine wirtschaftliche und leistungsstarke Lösung in einem winzigen 36-Pin SSOP SMD-Gehäuse von nur 12,83 x 7,5 x 3,55mm.

Die isolierten Module verfügen über mehrere Eingangsbereiche, die von 8,5V bis 27VDC für 12V, 15V und 24VDC Nennwerte reichen und je nach gewählter Variante und Temperaturbereich eine Leistung von bis zu 2,5W aufweisen. Jeder Teil verfügt über zwei vollständig geregelte Ausgänge, die als asymmetrische positive und negative Werte oder als einzelner positiver bzw. negativer Wert programmiert werden können. So lassen sich verschiedene Anforderungen an Gate-Drive-Spannungen für IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs sowie GaN-Cascode-HEMT-Zellen erfüllen. Der R12C2T25/R kann beispielsweise mit 9-18VDC Eingangsspannung arbeiten und für +18V/-5V Ausgangsspannung programmiert werden, um einen SiC-MOSFET einzusetzen. Die Arbeitstemperatur reicht von -40°C bis 100°C, mit Derating je nach Variante. Die Isolationsleistung der Serie beträgt 5kVAC/1min reinforced und 1,4kVDC im Betrieb, mit einer niedrigen Isolationskapazität von weniger als 3,5pF und einer dV/dt-Immunität von 150V/ns.

Zu den umfangreichen Steuerungs- und Schutzfunktionen gehören eine Unter- und Überspannungssperre am Eingang, Übertemperatur und Überlast am Ausgang sowie Unter- und Überspannung. Ein Abschalt- und Kontrollpin ist vorhanden, und ein Power-Good-Signal zeigt an, dass die Ausgänge innerhalb der zulässigen Toleranz liegen und die Gate-Ansteuerung sicher erfolgen kann.

„Diese Module verfügen über alle Eigenschaften, die für eine zuverlässige und optimale Erzeugung der Gate-Drive-Vorspannung für alle gängigen Schaltertechnologien erforderlich sind“, so Matthew Dauterive, MSc., Produktmanager von RECOM.