ゲートドライバDC/DCの範囲を拡大
2023/12/18
非対称安定化出力はIGBT、Si、SiC、GaNカスコードゲートドライブに適しています - 当社の新しいR24C2T25 DC/DCコンバータによって、IGBT、Si、SiC、およびGaNカスコードゲートドライブ用の電力を生成することがこれまでより簡単になります。コンパクトな7.5 x 12.83mm、36ピンのSSOPパッケージのこのSMT部品は、外部抵抗ネットワークによってプログラム可能なデュアル非対称出力電圧を提供します。
一方の出力は+2.5～+22.5VDCの間で、もう一方の出力は-2.5～-22.5VDCの間で設定でき、全体の正負電圧は18～25VDC（例えば+15/-3V）となり、SiCゲートを効率的に駆動できます。電圧は+/-1.5%以内に保たれ、過電圧や損傷のリスクを防ぎます。利用可能な総電力は周囲温度82°Cまででは2W、75°Cまででは2.5Wとなっています。また、有用なディレーティング電力も、パッケージの最大温度125°Cまで利用可能です。
R24C2T25の絶縁は3kVAC/1分で、超低結合容量3.5pFとコモンモード過渡耐性+/-150V/ナノ秒を備えています。このため、この部品は、高速のdV/dtおよびdI/dtパワースイッチエッジレートでハイサイドゲートドライブに電力を供給するのに最適です。
R24C2T25は、ソフトスタート、入力の低電圧誤動作防止および過電圧保護、過熱保護、出力過電力保護を備えています。出力の過電圧保護および低電圧誤作動防止も提供されており、無効なゲート電圧によってパワーデバイスがストレスを受けないようにします。パワーグッド信号は、ON/OFF制御と共に送られ、700µA未満の消費電流でデバイスをスタンバイモードにします。
R24C2T25の絶縁は3kVAC/1分で、超低結合容量3.5pFとコモンモード過渡耐性+/-150V/ナノ秒を備えています。このため、この部品は、高速のdV/dtおよびdI/dtパワースイッチエッジレートでハイサイドゲートドライブに電力を供給するのに最適です。
R24C2T25は、ソフトスタート、入力の低電圧誤動作防止および過電圧保護、過熱保護、出力過電力保護を備えています。出力の過電圧保護および低電圧誤作動防止も提供されており、無効なゲート電圧によってパワーデバイスがストレスを受けないようにします。パワーグッド信号は、ON/OFF制御と共に送られ、700µA未満の消費電流でデバイスをスタンバイモードにします。
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