IGBT功率器件: RECOM 的 DC/DC 转换器 RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx 和 RxxP2xx 系列专为 IGBT 驱动电路设计。它们具有 +15 V 和 -9 V 不对称输出因此仅须使用一个 DC/DC 转换器即可为 IGBT 驱动器供电。RECOM 提供各种引脚排列的 SIP 和 DIP 封装以配合不同的 IGBT 应用。 | SiC MOSFETs: RxxP22005D 和 RKZ-xx2005D 系列具有 +20 V 和 -5 V 的不对称输出,可高效且有效地开关 SiC MOSFET。RxxP21503D 系列的不对称输出电压为 +15 V 和 -3 V 的,特别适合第二代 SiC MOSFET。 | GaN HEMTs: 高转换率 GaN 晶体管驱动器,配合具有高隔离电压和低隔离电容的 RECOM DC/DC 转换器 RP-xx06S 和 RxxP06S 系列,达到了 +6 V 开关的最佳性能。考虑到 GaN 应用有更高噪声和干扰,RECOM 也提供具有 +9 V 输出的转换器,可通过齐纳二极管将其分为 +6 V 和 -3 V,在关断时提供负栅极电压以确保栅极电压保持在开启阈值以下。 |
为栅极驱动器优化的RA3 系列: RECOM 的全新 3W 非稳压 DC/DC 转换器 RA3 系列是专为晶体管栅极驱动器供电所设计。模块的输入电压为 5、12 或 24 V DC,具有单路或双路不对称输出以搭配现在市场上最新的 Si、SiC 和 GaN 晶体管。
紧凑的 SMD 设计将所需的电路板空间极小化,尤其针对多层 PCB。这些模块提供强大的 5.2 kV DC/1 分钟隔离和小于 10 pF 的隔离电容。效率在 78% 至 82% 之间,满载时工作温度为 -40°C 至 +85°C,符合太阳能逆变器、感应加热、电信、EV 电池充电器和电机驱动的严格环境要求。 |
R-REF01_HB评估板: R-REF01-HB 半桥栅极驱动电源参考设计可用来比较各种高功率开关技术的真实性能表现。该设计包括一个可高达 1 kV DC 电压的半桥电路和一个完全隔离的驱动器级和隔离电源来为下桥和上桥开关晶体管供电。 R-REF01-HB 配备两个 R12P22005D、R12P21503D、R12P21509D和 R12P06S DC/DC 转换器,可以提供栅极驱动电压给 IGBT、SiC 和 GaN 器件。 |
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系列 | |||||
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1 |
RA3
重点
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2 |
RP
重点
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3 |
R-REF01-HB
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4 |
RGZ
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5 |
RH
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6 |
RKZ
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7 |
RKZ-xx2005
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8 |
RP-xx06
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9 |
RV
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10 |
RxxP06
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