IGBT-Leistungsbauteile: Die DC/DC-Wandler RH, RV, RP, RGZ, RKZ, RxxPxx, and RxxP2xx von RECOM sind speziell für IGBT-Treiberschaltungen konzipiert. Ihre asymmetrischen Ausgänge von +15V und -9V machen sie ideal für die Versorgung von IGBT-Treibern mit nur einem DC/DC-Wandler. RECOM bietet sowohl SIP- als auch DIP-Gehäuse in einer Vielzahl von Pinbelegungen an, um verschiedene IGBT-Anwendungen zu ermöglichen. | SiC MOSFETs:
Die Serien RxxP22005D und RKZ-xx2005D verfügen über asymmetrische Ausgänge von +20V und -5V, um den SiC-MOSFET effizient und effektiv zu schalten.
Die RxxP21503D Serie bietet asymmetrische Ausgangsspannungen von +15V und -3V, die für das effiziente Schalten von SiC-MOSFETs der zweiten Generation erforderlich sind. |
GaN HEMTs: GaN-Transistortreiber mit hoher Anstiegsrate erreichen eine optimale Leistung, indem sie bei +6V von RECOMs DC/DC-Wandlern der Serien RP-xx06S und RxxP06S schalten, die sich durch eine hohe Isolationsspannung und eine geringe Isolationskapazität auszeichnen. Für GaN-Anwendungen, bei denen höheres Rauschen und Interferenzen zu berücksichtigen sind, bietet RECOM auch Wandler mit +9V Ausgangsspannung an, die über eine Zener-Diode auf +6V und -3V aufgeteilt werden können, um beim Ausschalten eine negative Gate-Spannung zu erzeugen, die sicherstellt, dass die Gate-Spannung unterhalb der Einschaltschwelle bleibt. |
Die RA3-Serie ist für Gate-Treiber optimiert: Die neuen ungeregelten 3W DC/DC-Wandler der RA3-Familie von RECOM sind speziell für die Versorgung von Transistor-Gate-Treibern konzipiert. Die Module sind mit Eingangsspannungen von 5, 12 oder 24VDC mit einfachen oder doppelten asymmetrischen Ausgängen erhältlich und decken die neuesten Si-, SiC- und GaN-Transistoren auf dem Markt ab.
Das kompakte SMD-Design sorgt dafür, dass der Platzbedarf auf der Platine - insbesondere auf mehrlagigen Leiterplatten - minimal ist. Die Module bieten eine robuste 5,2kVDC/1min. Isolierung und eine Isolationskapazität von weniger als 10pF. Mit typischen Wirkungsgraden von 78% bis 82% erfüllt der Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +85°C bei Volllast die strengen Umweltanforderungen für Solar Inverter sowie für Induktionsheizungen, Telekommunikation, EV-Batterieladegeräte und Motorantriebe. |
R-REF01_HB Evaluierungsplatine: Das R-REF01-HB Half-Bridge Gate-Drive Power Supply Reference Design kann verwendet werden, um die reale Leistung verschiedener High-Power-Switching-Technologien zu vergleichen. Das Design besteht aus einer Halbbrücke, die für Spannungen bis zu 1kVDC geeignet ist, und einer vollständig isolierten Treiberstufe mit isolierten Stromversorgungen für die Low-Side- und High-Side-Schalttransistoren.
Der R-REF01-HB enthält zwei R12P22005D, R12P21503D, R12P21509D und R12P06S DC/DC-Wandler und kann Gate-Treiberspannungen erzeugen, die für IGBTs, SiC- und GaN-Bauelemente geeignet sind. |
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Serie | |||||
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1 |
RA3
Fokus
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2 |
RP
Fokus
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3 |
R-REF01-HB
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4 |
RGZ
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5 |
RH
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6 |
RKZ
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7 |
RKZ-xx2005
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8 |
RP-xx06
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9 |
RV
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10 |
RxxP06
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