게이트 드라이브 DC/DC 범위 확장

R24C2T25 series
비대칭 레귤레이션 출력은 IGBT, Si, SiC 및 GaN 캐스코드 게이트 드라이브에 적합합니다 - 이제 새로운 R24C2T25 DC/DC 컨버터로 IGBT, Si, SiC 및 GaN 캐스코드 게이트 드라이버를 위한 전력을 생성하는 것이 그 어느 때보다 쉬워졌습니다. 컴팩트한 7.5 x 12.83mm 36핀 SSOP 패키지의 SMT 부품은 외부 저항 네트워크로 프로그래밍할 수 있는 이중 비대칭 출력 전압을 편리하게 제공합니다.

하나의 출력은 +2.5V ~ +22.5V, 다른 하나는 -2.5V ~ -22.5V 사이에서 설정할 수 있으며, 전체 양극 대 음극 전압은 18~25VDC(예: +15/-3V)로 설정하여 SiC 게이트를 효율적으로 구동할 수 있습니다. 전압은 +/-1.5% 이내로 유지되므로 과전압 및 손상 위험을 방지할 수 있습니다. 사용 가능한 총 전력은 주변 온도 82°C까지 2W이며 75°C까지 2.5W를 사용할 수 있습니다. 패키지 최대 125°C까지 유용한 감압 전력도 사용할 수 있습니다.

R24C2T25의 절연은 3.5pF의 초저 커플링 커패시턴스와 +/-150V/ns의 공통 모드 과도 내성을 갖춘 3kVAC/1분입니다. 따라서 이 부품은 dV/dt 및 dI/dt 전력 스위치 에지율이 빠른 하이 사이드 게이트 드라이브에 전력을 공급하는 데 이상적입니다.

R24C2T25는 소프트 스타트, 입력 저전압 및 과전압 록아웃, 써멀 셧다운, 출력 과전력 보호 기능을 갖추고 있습니다. 출력 과전압 및 저전압 록아웃 기능도 제공되어 잘못된 게이트 전압으로 인해 전원 디바이스가 스트레스를 받지 않도록 보장합니다. 700µA 미만의 전류 소모로 디바이스를 대기 모드로 전환할 수 있도록 ON/OFF 제어와 함께 전력 양호 신호가 제공됩니다.
용도
  Series
1 DC/DC, 2.0 W, Dual Output, SMD RxxC2Txx Series
Focus 신규
  • 2W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • Ideal for IGBT/Si/SiC/GaN gate drive bias voltages
  • High 3kVAC/1min isolation