Gate Drive DC/DC Bereich erweitert

R24C2T25 series
Asymmetrisch geregelte Ausgänge für IGBT-, Si-, SiC- und GaN-Kaskoden-Gate-Antriebe - Mit unserem neuen DC/DC-Wandler R24C2T25 ist es jetzt einfacher denn je, Strom für IGBT, Si-, SiC- und GaN-Kaskoden-Gate-Treiber zu erzeugen. Das SMT-Bauteil in einem kompakten 7,5 x 12,83mm großen 36-poligen SSOP-Gehäuse bietet zwei asymmetrische Ausgangsspannungen, die über externe Widerstandsnetzwerke programmierbar sind.

Ein Ausgang kann zwischen +2,5 und +22,5VDC und der andere zwischen -2,5 und -22,5VDC eingestellt werden, mit einer positiven bis negativen Gesamtspannung von 18 bis 25VDC, zum Beispiel +15/-3V, um SiC-Gates effizient anzusteuern. Die Spannungen werden innerhalb von +/-1,5% gehalten, um das Risiko von Überspannung und Schäden zu vermeiden. Die verfügbare Gesamtleistung beträgt 2W bis zu einer Umgebungstemperatur von 82°C und 2,5W bis zu 75°C. Eine nützliche Leistungsreduzierung ist ebenfalls bis zu einer maximalen Gehäusetemperatur von 125°C verfügbar.

Die Isolierung des R24C2T25 beträgt 3kVAC/1min mit einer extrem niedrigen Kopplungskapazität von 3,5pF und einer Gleichtakt-Transientenfestigkeit von +/-150V/ns. Dies macht die Bauteile ideal für die Versorgung von High-Side-Gate-Drives mit schnellen dV/dt- und dI/dt-Schaltflankenraten.

Der R24C2T25 verfügt über einen Sanftanlauf, eine Eingangsunter- und -überspannungssperre, eine thermische Abschaltung und einen Ausgangsüberlastungsschutz. Eine Über- und Unterspannungssperre am Ausgang sorgt dafür, dass Leistungsbauteile nicht durch ungültige Gate-Spannungen belastet werden können. Ein Power-Good-Signal und eine ON/OFF-Steuerung versetzen den Baustein in den Standby-Modus mit weniger als 700µA Stromaufnahme.
Anwendungen
  Serie
1 DC/DC, 2.0 W, Dual Output, SMD RxxC2Txx Series
Fokus Neu
  • 2W isolated DC/DC converter
  • Programmable asymmetrical output voltages
  • Ideal for IGBT/Si/SiC/GaN gate drive bias voltages
  • High 3kVAC/1min isolation