使用IGBT和SIC MOSFET来设计可靠耐用之晶体管电路

在评估新的开关晶体管电路时，通常只考虑晶体管的规格。但是，在最终稳定设计中，驱动器电路起到了非常重要的作用。为了探索驱动器参数的影响，我们首先以 IGBT 晶体管 (IKW20N60H3) 为例来考虑理想条件。

根据晶体管数据表，我们可以看到在 25°C 时的有效条件如下：

栅极发射极电压阈值 = 4.1 V - 5.7 V

根据这些值，一个 +15 V 栅极驱动器电源和接地端 (GND) 已经足够了，驱动器电路如下所示：


看起来非常简单！不过，如果考虑到寄生元件，实际模型会变得更加复杂：



现在，如果考虑栅极发射极阈值也会随温度范围变化，可以明显看出阈值电压会随温度升高而显著降低（几 mV/°K），最坏的情况下会显著低于 25°C 时测得的典型最小值 4.1 V。



驱动器电路必须在所有工作条件下都能防止意外导通。否则，这可能导致直通短路，表现为损耗增加，元器件压力增加，使用寿命缩短，EMC 变差，在极端情况下还可能导致晶体管损坏。
基本上，我们有两种意外导通时间：
由于米勒电容 (C_reverse) 效应引起的意外导通
由于寄生电感 (L_gate 和 L_emitter) 效应引起的意外导通。

当集电极发射极电压升高时，无论是在低侧 IGBT 关闭还是在桥式电路中，高侧 IGBT 都会导通并且电流流过反并联二极管，米勒电容 (C_reverse) 必须充电。

可以按照以下方式计算米勒电容的充电电流： 大多数晶体管数据表中都给出了米勒电容，但这只是一个粗略的值。C_reverse 的值与电压密切相关，也会随温度和电流而变化。大多数数据表只定义某些理想条件下的米勒电容，因此我们强烈建议在实际工作条件下测量值。以下图表显示了 V_CE 对反向电容的影响：



对于大多数驱动器电路来说，C_reverse 的额外电容负载都不是问题；只有当输入电容 C_Input 也被流过 C_reverse 的电流充分充电，使得晶体管再次导通时，才会成为问题。

可根据以下关系定义 C_Input ...