R-REF01-HB 범용 하프 브리지 레퍼런스 디자인

2018. 1. 8

그문덴, 2018년 1월 8일 - RECOM은 고전력 IGBT, 1세대 및 2 세대 SiC, GaN, MOSFET 및 캐스코드 스위칭 기술의 실제 성능을 비교할 수 있는 범용적인 하프 브리지 레퍼런스 디자인을 제공하기 시작했습니다. 게이트 드라이버와 PCB 레이아웃이 모든 트랜지스터 유형에서 동일하기 때문에 사용자는 실제 스위칭 성능을 비교하고 대조할 수 있으며 적용하고자 하는 회로에 적합한 기술적인 정보를 얻을 수 있습니다.

레퍼런스 디자인은 하측 및 상측 스위칭 트랜지스터 모두에 절연된 전원을 공급하는 완전히 절연된 드라이버 스테이지를 갖춘 하프 브리지 레이아웃으로 구성되어 있다. 한 개의 패키지에는 개별 트랜지스터 타입에 적합한 절연 전압을 공급하는 4 세트의 서로 다른 DC/DC 컨버터가 포함되어있습니다. 따라서 사용자는 원하는 공급 업체로부터 평가하고자하는 TO247 또는 TO247-4L (켈빈 연결) 패키지형 스위칭 트랜지스터를 선택하고, 적합한 DC/DC 컨버터를 맞춰 일치시킨 후에 신속하게 시제품 회로를 만들어서 테스트 할 수 있습니다. 레퍼런스 디자인은 순방향, 플라이 백, 벅 및 부스트 토폴로지를 평가하는 기본적인 블록이며, 2개 이상의 유닛을 결합하여 풀 브리지 및 3 상 브리지 회로를 평가할 때 사용할 수 있습니다. PCB는 최대 10A 게이트 드라이브 전류에서 최대 1000V의 고속 스위칭을 위해 최적화 되어 있습니다. 신호 접지는 전원 접지와 갈바닉 절연이 되어 있으며 온보드 BNC 소켓은 외부 TTL 신호 발생기에 대한 고속 연결에 적합합니다. 상층 및 하층 제어가 분리되어 있기 때문에, 레퍼런스 설계는 비대칭 듀티 사이클, 액티브 클램프 및 위상 시프트된 풀 브리지 토폴로지를 구현하는 데에도 사용될 수 있습니다. R-REF01-HB 레퍼런스 디자인은 모든 공인 RECOM 대리점에서 구할 수 있습니다.