SiC 및 GaN은 실리콘과 같은 성숙한 기술이 아니기 때문에, 제조업체가 세대마다 성능을 개선하면서 이에 대한 표준이 계속 변화하고 있습니다. 예를 들어 1세대, 2세대, 3세대 SiC 디바이스는 다양한 제조업체에서 시판되고 있으며, 세대마다 디바이스를 켜고 끄는 데 필요한 전압 조합이 다릅니다.
이러한 상황으로 인해, 게이트 드라이버와 게이트 드라이브에 전원을 공급하는 데 사용되는 모든 절연 DC/DC 컨버터 에 문제가 발생합니다. DC/DC 컨버터는 일반적으로 절연을 위해 내부 변압기를 사용합니다. 변압기는 사용되고 있는 게이트 드라이브에 적합한 바이어스 전압을 제공하기 위해 고정된 비율로 설계됩니다.
결과적으로 하나의 SiC 디바이스에 +15V, -8V의 턴온 전압과 턴오프 전압을 제공하려면 하나의 DC/DC 컨버터가 필요하며, 또 다른 SiC 디바이스에 +15V, -3V의 전압을 제공하려면 다른 컨버터가 필요합니다. 표준 제품으로 두 조합을 모두 사용할 수 있는 경우에는 문제가 되지 않지만, 새로운 DC/DC 컨버터 설계가 필요한 경우 일정에 영향을 미칠 수 있으며 안전성 재인증이 필요할 수 있습니다. 생산량 감소로 인해 단가가 증가할 가능성도 큽니다.
이러한 상황으로 인해, 게이트 드라이버와 게이트 드라이브에 전원을 공급하는 데 사용되는 모든 절연 DC/DC 컨버터 에 문제가 발생합니다. DC/DC 컨버터는 일반적으로 절연을 위해 내부 변압기를 사용합니다. 변압기는 사용되고 있는 게이트 드라이브에 적합한 바이어스 전압을 제공하기 위해 고정된 비율로 설계됩니다.
결과적으로 하나의 SiC 디바이스에 +15V, -8V의 턴온 전압과 턴오프 전압을 제공하려면 하나의 DC/DC 컨버터가 필요하며, 또 다른 SiC 디바이스에 +15V, -3V의 전압을 제공하려면 다른 컨버터가 필요합니다. 표준 제품으로 두 조합을 모두 사용할 수 있는 경우에는 문제가 되지 않지만, 새로운 DC/DC 컨버터 설계가 필요한 경우 일정에 영향을 미칠 수 있으며 안전성 재인증이 필요할 수 있습니다. 생산량 감소로 인해 단가가 증가할 가능성도 큽니다.