Moderne Hableiter-Schalter nutzen Wide-Bandgap-Technologien (WBG) und sogar MOSFETs und einige IGBTs ermöglichen extrem schnelles Schalten. Das verringert Verluste während der Schaltübergänge und erlaubt einen Betrieb mit höherer Frequenz bei hoher Effizienz, höherer Energiedichte, kleineren passiven Bauteilen und geringeren Kosten. Es gibt jedoch den Nachteil erhöhter elektromagnetischer Störungen und Beanspruchung an Gate-Treiber-Isolationssystemen infolge hoher Werte von dV/dt und di/dt. Abbildung 1 zeigt eine typische Gate-Treiber-Schaltung für einen IGBT, die eine positive Spannung zwischen 5V und 20V verwendet, um das Bauteil EIN zu schalten, sowie 0V, um es AUS zu schalten. Statisch funktioniert diese Schaltung auch perfekt für Si MOSFETs vom Anreicherungstyp und WBG-Bauteile in SiC- und GaN-Technologie – in allen Fällen ist das Bauteil garantiert ausgeschaltet, wenn kontinuierlich 0V am Gate anliegen.
Abb. 1: Vereinfachte Gate-Treiber-Schaltung
Es treten jedoch Probleme auf, wenn das Bauteil schnell geschaltet wird und parasitäre kapazitive und induktive Elemente ins Spiel kommen, wie Abbildung 2 gezeigt ist.
Abb. 2: Gate-Treiber mit parasitären Elementen
Nimmt man das Beispiel eines di/dt-Wertes für den Drain-Source-Strom von 10A/ns, was für modernste GaN-Vorrichtungen praktikabel ist, und eine Quelleninduktivität von 15nH, wirken gemäß V = - L di/dt 150V an der Induktivität. Beim Ausschalten zieht die Spannung die Quelle negativ gegenüber dem Gate-Treiber und beim Einschalten ist die Richtung positiv gegenüber dem Gate-Treiber. Die Folge kann ein Verlust der Effizienz sein und sogar Schäden infolge unechten Einschaltens, was ein Durchschießen der Ströme verursacht (Shoot-Through). 15nH mögen groß erscheinen, stellen aber nur etwa 25 mm einer Leiterplattenbahn dar. Selbst eine Leiterplatten-Durchkontaktierung hat eine Induktivität von etwa 1,2 nH und erzeugt eine Transiente von 12V. In der Praxis ist bei diesen hohen Werten von di/dt nur ein Chip Scale Package mit Kelvin-Anschluss zu Gate und Source für den Gate-Treiber praktikabel. Das Ansteuern des Gates mit einer negativen Spannung für den Aus-Zustand hilft, wenn eine restliche Induktivität nicht vermieden werden kann.
In realen Schaltungen wie Gegentakt oder Vollbrücken in Invertern oder Motorsteuerungen teilen sich zwei Low-Side-Bausteine häufig eine gemeinsame Rückleitung für Source- und Gate-Treiber-Ströme, wie in Abbildung 3 gezeigt.
Abb. 3: Low-Side-Bausteine mit gemeinsamer Masse
Jetzt sind Kelvin-Anschlüsse nicht möglich, da es zwei Treiber mit jeweils eigener Rückführung gibt. Die zwei Treiber-Masseanschlüsse und zwei Emitter-Anschlüsse (Source) müssen miteinander verbunden sein und wenn dieser Punkt physisch bei Powergnd 1 nahe beim linken Schalter ist, würde der rechte Schalter eine größere Induktivität der Source-Verbindung als der linke haben, was zu einem asymmetrischen Schalten führt, potentiell zu elektromagnetischen Störungen und zu Schäden infolge der induzierten Spannungen über der Induktivität. Für Symmetrie ist der Punkt ‘Powergnd 2’ die einzige Option, aber ein schlechter Kompromiss, weil nun beide Source-Anschlüsse zwar gleiche aber große Anschluss-Induktivitäten im Gate-Treiber-Stromkreis haben, insbesondere in Hochleistungssystemen, wo die Bauteile möglicherweise nicht physisch geschlossen sind.
Eine Lösung ist die Bereitstellung isolierter Signale und Stromversorgungen für die beiden Gate-Treiber, wie in Abbildung 4 gezeigt. Jetzt können Treibersignal und Stromrückführung direkt mit ihren jeweiligen Bauteil-Emittern (Source) verbunden werden, wodurch die meisten externen Induktivitäten aus den Treiber-Stromkreisen ausgeschlossen werden.
Abb. 4: Gate-Treiber mit Signal- und Stromisolierung mittels Kelvin-Anschluss

Abb. 1: Vereinfachte Gate-Treiber-Schaltung
Es treten jedoch Probleme auf, wenn das Bauteil schnell geschaltet wird und parasitäre kapazitive und induktive Elemente ins Spiel kommen, wie Abbildung 2 gezeigt ist.

Abb. 2: Gate-Treiber mit parasitären Elementen
Nimmt man das Beispiel eines di/dt-Wertes für den Drain-Source-Strom von 10A/ns, was für modernste GaN-Vorrichtungen praktikabel ist, und eine Quelleninduktivität von 15nH, wirken gemäß V = - L di/dt 150V an der Induktivität. Beim Ausschalten zieht die Spannung die Quelle negativ gegenüber dem Gate-Treiber und beim Einschalten ist die Richtung positiv gegenüber dem Gate-Treiber. Die Folge kann ein Verlust der Effizienz sein und sogar Schäden infolge unechten Einschaltens, was ein Durchschießen der Ströme verursacht (Shoot-Through). 15nH mögen groß erscheinen, stellen aber nur etwa 25 mm einer Leiterplattenbahn dar. Selbst eine Leiterplatten-Durchkontaktierung hat eine Induktivität von etwa 1,2 nH und erzeugt eine Transiente von 12V. In der Praxis ist bei diesen hohen Werten von di/dt nur ein Chip Scale Package mit Kelvin-Anschluss zu Gate und Source für den Gate-Treiber praktikabel. Das Ansteuern des Gates mit einer negativen Spannung für den Aus-Zustand hilft, wenn eine restliche Induktivität nicht vermieden werden kann.
In realen Schaltungen wie Gegentakt oder Vollbrücken in Invertern oder Motorsteuerungen teilen sich zwei Low-Side-Bausteine häufig eine gemeinsame Rückleitung für Source- und Gate-Treiber-Ströme, wie in Abbildung 3 gezeigt.

Abb. 3: Low-Side-Bausteine mit gemeinsamer Masse
Jetzt sind Kelvin-Anschlüsse nicht möglich, da es zwei Treiber mit jeweils eigener Rückführung gibt. Die zwei Treiber-Masseanschlüsse und zwei Emitter-Anschlüsse (Source) müssen miteinander verbunden sein und wenn dieser Punkt physisch bei Powergnd 1 nahe beim linken Schalter ist, würde der rechte Schalter eine größere Induktivität der Source-Verbindung als der linke haben, was zu einem asymmetrischen Schalten führt, potentiell zu elektromagnetischen Störungen und zu Schäden infolge der induzierten Spannungen über der Induktivität. Für Symmetrie ist der Punkt ‘Powergnd 2’ die einzige Option, aber ein schlechter Kompromiss, weil nun beide Source-Anschlüsse zwar gleiche aber große Anschluss-Induktivitäten im Gate-Treiber-Stromkreis haben, insbesondere in Hochleistungssystemen, wo die Bauteile möglicherweise nicht physisch geschlossen sind.
Eine Lösung ist die Bereitstellung isolierter Signale und Stromversorgungen für die beiden Gate-Treiber, wie in Abbildung 4 gezeigt. Jetzt können Treibersignal und Stromrückführung direkt mit ihren jeweiligen Bauteil-Emittern (Source) verbunden werden, wodurch die meisten externen Induktivitäten aus den Treiber-Stromkreisen ausgeschlossen werden.

Abb. 4: Gate-Treiber mit Signal- und Stromisolierung mittels Kelvin-Anschluss