ゲートドライブ用に設計されたDC/DCコンバータ

RECOMは、低コストの非レギュレーションDC/DCコンバータラインアップに、半導体スイッチのゲートドライバに最適な電圧を供給する3WのSMD製品RA3シリーズを追加しました。シングル8V、9V、デュアル+7/-1V、+15/-3V、+20/-5Vの出力バリエーションがあります。これらの値は、IGBT、シリコンMOSFET、および最新のシリコンカーバイドMOSFETとGaN HEMTセルの要件を満たしています。これらの製品は、5.2kV/1分間の機能絶縁を持ち、UL/IEC/EN 62368-1、CAN/CSA-C22.2 No 62368-1、およびEN 61204-3に準拠しています。EMI EN 55032のクラスAは追加のフィルタリングなしで、クラスBにはシンプルなLCフィルタのみで準拠しています。3Wの出力は、大型IGBTだけでなく、その他のSi、SiC、GaNデバイスの高周波スイッチングにも対応しています。

入力電圧は+5V、+12V、+24V +/-10%で、効率は通常80%以上です。絶縁容量は10pF以下で、特にSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ技術を用いたハイサイドドライバーに見られる高速・高電圧のスイッチングエッジに対する高い耐性持っています。動作温度範囲は、ディレーティングなしで-40℃〜+85℃です（1V、8V、9Vの場合は最高80℃）。

RA3シリーズは、ランドグリッド方式の表面実装型で、23.4mm x 15mm x 8.5mmと、他社製品に比べて実装面積を35%、体積を60%削減しています。これにより部品間に広い間隔を確保することが可能になり、DC/DC出力ピンと他の回路との間に必要な高い絶縁性を基板最上層だけの接続で実現しています。

RA3シリーズの密閉型パッケージと広い温度範囲は、再生可能エネルギー、ソーラーインバーター、誘導加熱、通信、電気自動車のバッテリーチャージャー、モータードライブなどの過酷な環境のシステムに適しています。

RECOM社のプロダクトマネージャーであるMatthew Dauteriveは、「当社は、ワイドバンドギャップデバイスの主要メーカーと緊密に協力して、これらのDC/DCが最新世代の製品に最適な性能を発揮できるように努めました。また、市場に出回っている他のソリューションに比べて大幅に小型化されており、外付け部品の数も少なくて済むため、設計が容易です」と述べています。