Power Supplies for

IGBT, SiC FET & GaN

适用于栅极驱动的高隔离DC/DC转换器

DC/AC逆变器通常浮空几百电压。典型的隔离电压至少是工作电压的两倍。考虑到高开关速度和高浮空电压，需要高隔离转换器来驱动栅极驱动器，要保持高效率就需要高开关速度。光耦合器隔离控制信号，但还是需要在电源端有隔离层。无论IGBT、SiC MOSFET或GaN，RECOM的DC / DC转换器用于栅极驱动器是能延长这些DC/AC逆变器的寿命和可靠性的简易替换组件。

“在我们的合作伙伴生态系统当中，RECOM一直是最活跃、提供最多支持的公司之一。他们的电源模块是让我们快速地设计评估平台的主要原因，这样我们就可以将精力放在其他的设计上。”

GaN系统

IGBT

紧湊型SIP7封装的RxxP2xx、RxxPxx、RP、RH & RKZ系列
薄型DIP14封装RV & RGZ系列和迷你型DIP24封装
+15/-9V输出
高达6.4kVDC隔离
5V、12V或24V输入
1W或2W 额定输出功率
对称功率
86%效率
+90°C工作温度
EN认证
三年质量保证

SiC

紧湊型SIP7封装的RxxP21503D, RxxP22005D和RKZ-xx2005D系列
+15/-3V和+20/-5V输出
SMD RA3系列的输出电压是+15/-5、+15/-3或+20/-5V
6.4kVDC隔离
5V、12V、15V或24V输入
2W 额定输出功率 (RA3 是 3W)
对称功率或不对称电流输出
87%效率
+90°C工作温度
EN/IEC/UL认证
三年质量保证

GaN

紧湊型DIP14, DIP24和SIP7封装的RJZ, RK, RP, RV, RxxPxx, RxxP2xx系列
+6V或+9V 输出
SMD RA3系列的输出电压是+7/-1、+8V或+9V
6.4kVDC隔离
5V、12V、15V或24V输入
1W, 2W 额定输出功率 (3W for RA3)
83%效率
+90°C工作温度
EN/IEC/UL认证
三年质量保证

参考设计

适用于IGBT、SiC和GaN晶体管的通用半桥参考设计

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IGBT

RECOM的RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx和RxxP2xx DC/DC转换器系列是专为IGBT驱动电路所设计的。转换器具有+15V和-9V的非对称输出，使它们非常适合IGBT驱动器。以前需要两个转换器，而现在只需要一个。为了满足不同IGBT应用的需求，RECOM提供各种引脚和封装（SIP/DIP）的选择。

	系列	功率（W）	输入电压（V）	输出路数	主输出电压（V）	隔离电压 (kV)
1	R12C2T25/R 重点新	2.5	9.0 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
2	R15C2T25/R 重点新	2.5	13.5 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
3	R24C2T25 重点新	2.5	21.0 - 27.0	Single/dual		3.0	数据表
4	R24C2T25/R 重点新	2.5	21.0 - 27.0	Single/dual		5.0	数据表
5	R9C1T18/R 重点新	3.0	8.5 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
6	RGZ-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	3.0, 4.0	数据表
7	RH-xx1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	3.0, 4.0	数据表
8	RKZ-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	3.0, 4.0	数据表
9	RP-xx1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	5.2	数据表
10	RV-xx1509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	6.0	数据表
11	RxxP1509	1.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	6.4	数据表
12	RxxP21509	2.0	5.0, 12.0, 24.0	双路	15 / -9	6.4	数据表

SiC

开关SiC MOSFET所需的导通电压和关断电压对其他的IGBT或MOSFET应用来说是不常见的。RxxP22005D和RKZ-2005D系列具备+20V和-5V非对称输出，可高效地驱动SiC MOSFET。而RxxP21503D系列提供的+15V和-3V非对称输出，则适用于第二代的SiC MOSFET。

	系列	功率（W）	输入电压（V）	输出路数	主输出电压（V）	隔离电压 (kV)
1	R12C2T25/R 重点新	2.5	9.0 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
2	R15C2T25/R 重点新	2.5	13.5 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
3	R24C2T25 重点新	2.5	21.0 - 27.0	Single/dual		3.0	数据表
4	R24C2T25/R 重点新	2.5	21.0 - 27.0	Single/dual		5.0	数据表
5	R9C1T18/R 重点新	3.0	8.5 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
6	RA3 重点	3.0	5.0, 12.0, 24.0	单路, 双路	15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9	5.2	数据表
7	RKZ-xx2005	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	双路	20 / -5	3.0, 4.0	数据表
8	RxxP21503	2.0	12.0, 15.0, 24.0	双路	15 / -3	6.4	数据表
9	RxxP22005	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	双路	20 / -5	6.4	数据表

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使用IGBT和SIC MOSFET来设计可靠耐用之晶体管电路

本白皮书分享减少故障原因和简化设计的指南及建议，同时附上应用示例，以帮助您更好地理解。

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GaN

高转换速率的GaN晶体管驱动器使用具有高隔离电压和低隔离电容的RECOM RP-xx06S和RxxP06S DC/DC转换器系列，可在+6V达到最佳的切换性能。RECOM考虑到一些有较高噪声和干扰的GaN应用，设计出+9V输出的转换器，通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V以在关断时提供负栅极电压，从而确保栅极电压保持低于开启阈值。

	系列	功率（W）	输入电压（V）	输出路数	主输出电压（V）	隔离电压 (kV)
1	R12C2T12/R 重点新	2.5	9.0 - 18.0	Single/dual		5.0	数据表
2	RA3 重点	3.0	5.0, 12.0, 24.0	单路, 双路	15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9	5.2	数据表
3	RK 重点	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路	12, 15, 5, 9	3.0, 4.0	数据表
4	RP 重点	1.0	5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路, 双路	12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9	5.2	数据表
5	RJZ	2.0	3.3, 5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路	12, 15, 24, 3.3, 5, 9	3.0, 4.0	数据表
6	RP-xx06	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路	6	5.2	数据表
7	RV	2.0	3.3, 5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路, 双路	12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.0	数据表
8	RxxP06	1.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路	6	6.4	数据表
9	RxxP2xx	2.0	5.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路, 双路	12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.4	数据表
10	RxxPxx	1.0	5.0, 9.0, 12.0, 15.0, 24.0	单路, 双路	12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9	6.4	数据表