用于栅极驱动器的高隔离电压 DC/DC 转换器

具有最简单（功能）隔离的 DC/DC 转换器可以承受 1kVDC/1sec 的电压，但通常不满足高侧栅极驱动器的要求。RECOM 将所需的高绝缘电压、不对称输出电压和低隔离电容集成到一个 DC/DC 模块。

通常，高侧逆变器使用光隔离脉宽调制 (PWM) 控制，使器件具有数百伏的浮动电压，因此栅极驱动器 需要隔离电源。对于 IGBT 通常为 +15/-9 V，对于 SiC 为 +20/-5 V（第二代器件为 +15/-3 V），对于 GaN 为 +6 V 和 +9 V。DC/DC 的典型隔离电压至少是工作电压的两倍，但这些高功率晶体管产生的高环境温度和快速开关边沿会对隔离屏障施加额外应力。无论是 IGBT，SiC MOSFET 还是GaN HEMT，RECOM 都具有匹配的 DC/DC 转换器模块，提供所需的不对称输出电压、高绝缘电压和低隔离电容。R-REF01-HB 参考设计可用于比较各种大功率开关技术的实际性能。